模型高温超导体 HgBa2CuO4+d 中依赖掺杂的拉曼共振
超导电性
2015-06-16 v1 强关联电子
摘要
我们在宽掺杂范围内，通过电子拉曼散射和光学椭圆偏振法研究了模型高温超导体 HgBa2CuO4+d。研究发现，增强“双磁振子”激发散射截面的共振拉曼条件随掺杂发生强烈变化，这对应于椭圆偏振法在 1-3 eV 范围内观察到的带间光学跃迁的重排。这种共振条件的意外变化使我们能够调和超导铜氧化物中拉曼探测与 X 射线探测磁涨落之间明显的差异。有趣的是，最剧烈的变化发生在反节点超导能隙达到最大值的掺杂水平附近。
引用
@article{arxiv.1307.0325,
title = {Doping-Dependent Raman Resonance in the Model High-Temperature Superconductor HgBa2CuO4+d},
author = {Yuan Li and M. Le Tacon and Y. Matiks and A. V. Boris and T. Loew and C. T. Lin and Lu Chen and M. K. Chan and C. Dorow and L. Ji and N. Barisic and X. Zhao and M. Greven and B. Keimer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.0325},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures, contact authors for Supplemental Material