BBN 能区质子上的辐射中子俘获

在大爆炸核合成（BBN）能区计算了辐射中子俘获 $np \to d \gamma$ 的总截面。电磁跃迁振幅在含双重子场的无π有效场论框架内计算到次领头阶。我们还由这些振幅计算了 $d\gamma\to np$ 截面以及 $d\vec{\gamma}\to np$ 过程的光子分析本领。振幅中出现的低能常数的值通过马尔可夫链蒙特卡洛分析并利用相关低能实验数据估计。我们的结果与其他理论计算符合良好，除了某些能区由 R-矩阵分析估计的 $np\to d\gamma$ 截面。我们还研究了在相关 BBN 能区我们对 $np\to d\gamma$ 截面估计的不确定性，发现估计截面在 $\sim$1% 误差内可靠。