过渡金属二硫属化物中局域激子的辐射寿命
介观与纳米尺度物理
2018-12-05 v1
摘要
单层 TMD 中由缺陷或应变引起的无序会导致带间激发物理行为的剧烈变化，产生非均匀光谱展宽和局域化，进而导致辐射寿命增加。在本研究中，我们通过单层 WSe2 中的随机势模拟了样品表面的无序。我们表明，该模型允许我们模拟局域激子态的光谱及其辐射寿命。在此背景下，我们通过能量、态密度、振子强度、光致发光 (PL) 光谱和低温 (4K) 下的辐射寿命，深入研究了无序势参数对这些缺陷光学性质的影响。我们证明，局域激子具有比自由激子更长的发射时间，在几十皮秒或更长的范围内，并且我们表明它强烈依赖于无序参数和介电环境。最后，为了证明我们模型的有效性，我们将其与文献中可用的实验结果进行了比较。
引用
@article{arxiv.1803.05140,
title = {Radiative lifetime of localized excitons in transition metal dichalcogenides},
author = {Sabrine Ayari and Adlen Smiri and Aida Hichri and Sihem Jaziri and Thierry Amand},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.05140},
year = {2018}
}
备注
arXiv admin note: text overlap with arXiv:1409.3996 by other authors