辐射诱导的共价材料中小缺陷团簇的移动性
材料科学
2016-08-10 v1
摘要
尽管缺陷团簇对半导体材料的电子和力学性能有害，但由于高迁移势垒，此类团簇的湮灭受限于其缺乏热移动性。在此，我们发现，块体SiC（一种对电子和核应用均重要的共价材料）中的小团簇在电子辐射影响下可在室温下变得可移动。迄今为止，尚未有对块体材料中辐射诱导缺陷团簇扩散的直接观察。这一发现得益于低角环形暗场（LAADF）扫描透射电子显微镜（STEM）结合用于消除样品不稳定的非刚性配准技术，从而实现了对小迁移缺陷团簇的原子分辨率成像。我们表明，这种非热扩散的潜在机制是入射电子与团簇原子之间的弹道碰撞。我们的发现表明，缺陷团簇在某些辐照条件下可能是可移动的，这改变了当前对辐照共价材料中团簇退火过程的理解。
引用
@article{arxiv.1608.01623,
title = {Radiation-induced mobility of small defect clusters in covalent materials},
author = {Hao Jiang and Li He and Dane Morgan and Paul M. Voyles and Izabela Szlufarska},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.01623},
year = {2016}
}