离子辐照 3C-SiC 中小缺陷簇的演化:团簇动力学建模与实验研究结合
材料科学
2017-01-09 v1 计算物理
摘要
利用先进的扫描透射电子显微镜(STEM)和透射电子显微镜(TEM)研究了 1 MeV 氪辐照 3C-SiC 中黑点缺陷和小团簇的分布。我们发现,STEM 中识别出的小于 1 nm 的团簇有三分之二在 TEM 图像中不可见。对于大于 1 nm 的团簇,STEM 与 TEM 结果吻合极好。我们针对 SiC 开发了团簇动力学模型,以揭示促成缺陷簇演化的过程,并针对 (S)TEM 结果进行了验证。模拟表明,基于点缺陷(PDs)产生、反应、聚集和团簇解离的既有特性建立的模型,无法预测与 STEM 观测一致黑点缺陷分布。这一失败表明,简单点缺陷图像未包含的额外现象可能促成 SiC 中辐射诱导的缺陷簇演化;利用我们的模型,我们确定了其中若干额外现象对团簇演化的影响。利用这些额外现象,可以在物理上合理的范围内拟合参数,使模拟预测的团簇分布与实验测量值一致。
引用
@article{arxiv.1701.01463,
title = {Evolution of small defect clusters in ion-irradiated 3C-SiC: combined cluster dynamics modeling and experimental study},
author = {C. Liu and L. He and Y. Zhai and B. Tyburska-Püschel and P. M. Voyles and K. Sridharan and D. Morgan and I. Szlufarska},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.01463},
year = {2017}
}
备注
33 pages, 10 figures, journal