LHCb顶点定位器中的辐射损伤
仪器与探测器
2016-08-11 v1 高能物理 - 实验
摘要
LHCb顶点定位器（VELO）是一个硅条探测器，设计用于重建在LHCb相互作用区域产生的带电粒子轨迹和顶点。在数据采集的头两年中，84个VELO传感器暴露于一系列注量下，最大值约为 中子等效注量（）。在约 的工作传感器温度下，传感器电流增加的平均速率为每 ，与预测非常吻合。利用辐照后的电流-温度扫描数据确定了硅的有效带隙，获得的平均值为 。首次在LHC上观察到n-on-n型传感器的类型反型，发生在约 的注量下。LHC上唯一使用的n-on-p型传感器也进行了研究。在约 的初始注量下，观察到有效耗尽电压（EDV）下降了约25 V，这归因于氧诱导的硼间隙位点移除。在此初始下降之后，EDV以与类型反型的n-on-n型传感器相当的速率增加，测得的n-on-p和n-on-n型传感器的速率分别为 和 。观察到由于涉及第二金属层读出线的意外效应导致的电荷收集效率降低。
引用
@article{arxiv.1302.5259,
title = {Radiation damage in the LHCb Vertex Locator},
author = {A. Affolder and K. Akiba and M. Alexander and S. Ali and M. Artuso and J. Benton and M. van Beuzekom and P. M. Bjørnstad and G. Bogdanova and S. Borghi and T. J. V. Bowcock and H. Brown and J. Buytaert and G. Casse and P. Collins and S. De Capua and D. Dossett and L. Eklund and C. Farinelli and J. Garofoli and M. Gersabeck and T. Gershon and H. Gordon and J. Harrison and V. Heijne and K. Hennessy and D. Hutchcroft and E. Jans and M. John and T. Ketel and G. Lafferty and T. Latham and A. Leflat and M. Liles and D. Moran and I. Mous and A. Oblakowska-Mucha and C. Parkes and G. D. Patel and S. Redford and M. M. Reid and K. Rinnert and E. Rodrigues and M. Schiller and T. Szumlak and C. Thomas and J. Velthuis and V. Volkov and A. D. Webber and M. Whitehead and E. Zverev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.5259},
year = {2016}
}