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分子自旋中的磁化量子隧穿

材料科学 2022-12-27 v1 介观与纳米尺度物理

摘要

我们研究了在弱相互作用于环境、服从 Redfield 主方程的分子自旋中的磁化量子隧穿。通过仅使用通用哈密顿量构建多能级自旋系统的微观模型,并对激发双重态/单重态应用稳态近似,我们推导了适用于全温域的磁化量子隧穿过程的关键运动方程。由该方程我们发现,一般而言需要三个隧穿速率才能准确描述量子隧穿过程。更重要的是,在相干与非相干量子隧穿之间存在转变的中间温域中量子隧穿的行为也首次被揭示。我们还给出了低温和高温和/或低磁场下的极限情形,其中复现了一些广为人知的结果。最后同样重要的是,我们提出了对磁化量子隧穿的新解释,揭示了该弛豫过程与受驱阻尼谐振子之间的相似性。

关键词

引用

@article{arxiv.2212.13086,
  title  = {Quantum tunneling of magnetization in molecular spin},
  author = {Le Tuan Anh Ho and Liviu Ungur and Liviu F. Chibotaru},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2212.13086},
  year   = {2022}
}

备注

11 pages, 5 figures