手性分子势存在下的量子输运

我们研究了一个与手性分子势耦合的二维电子系统中的量子输运，展示了分子手性和取向如何影响电荷和自旋输运性质。我们提出了一个最小模型，用于在磁化表面上实现真正的手性对称性破缺，其中分子偶极矩相对于表面的倾斜角发挥了关键作用。对于非零倾斜，我们表明霍尔响应在手性诱导效应方面表现出清晰的特征，无论是在电荷还是在自旋分辨的可观测量中。关于前者，倾斜的对映体产生不对称的霍尔电导，更引人注目的是，这一特征在自旋轨道耦合（SOC）缺失的情况下仍然存在，表明对映特异性电荷响应源于电子对手性分子势的散射。关于SOC起重要作用的自旋分辨可观测量，我们揭示手性对称性破缺对于 enabling 自旋翻转过程至关重要。