磁性薄膜中中子的量子态

我们对偏振中子与磁性薄膜和磁性多层结构的相互作用进行了实验和理论研究。特别地，我们分析了总外部反射临界边缘在两种情况下行为。对于单层薄膜，我们观察到实验和理论表现为简单行为：临界边缘保持不变，强度随偏振轴与薄膜内磁化矢量之间的夹角而变化。对于多层结构情况，我们发现自旋上和自旋下偏振中子的临界边缘随相邻两个铁磁薄膜磁化矢量之间夹角的变化而向彼此靠拢。尽管多层结构和单层厚层的结果看起来不同，但实际上同一正手方法解释了这两种结果。我们给出了解释多层结构临界边缘行为的方案，将其视为铁磁和反铁磁状态的叠加。