具有巨自旋轨道耦合的 Bi/Si 界面电子在直流与电磁场下的量子态及电荷流与自旋极化的线性响应
介观与纳米尺度物理
2015-05-28 v1 量子物理
摘要
本文对 Frantzeskakis、Pons 和 Grioni [Phys. Rev. B {\bf 82}, 085440 (2010)] 构建的描述具有巨自旋轨道耦合的 Bi/Si(111) 界面量子态的准自由电子模型进行了扩展，并将其应用于能带结构和自旋极化的计算，以及由直流场和电磁辐射引起的电荷流与诱导自旋的线性响应分析。研究发现，该系统中的大自旋轨道耦合可能使得即使在室温及实际碰撞速率下也能分辨自旋相关的特性。原子晶格的几何结构结合自旋轨道耦合，导致了电流和自旋分量相对于外场方向呈现出各向异性的响应。面内直流电场仅在样品中产生面内自旋分量，而垂直传播且具有不同偏振态的电磁波则可以激发面内和面外自旋分量。
引用
@article{arxiv.1105.4215,
title = {Quantum states and linear response in dc and electromagnetic fields for charge current and spin polarization of electrons at Bi/Si interface with giant spin-orbit coupling},
author = {D. V. Khomitsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.4215},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 9 figures