基于非线性吸收过程的闪锌矿半导体中载流子与电流的量子干涉控制
材料科学
2019-08-14 v2
摘要
光学吸收过程之间的量子干涉可根据入射光场的性质激发布里渊区中具有极化分布的载流子。载流子的极化分布引入一种可由入射光场的相位与偏振控制的电流。此处我们研究 AlGaAs 中双光子和三光子吸收过程的量子干涉。我们给出关于载流子与电流注入率的理论预测，考虑了入射场的不同频率、相位与偏振。我们还讨论了仅涉及非线性光学过程所导致的重要特征，例如这导致布里渊区中载流子分布更尖锐。
引用
@article{arxiv.1808.06673,
title = {Quantum Interference Control of Carriers and Currents in Zincblende Semiconductors based on Nonlinear Absorption Processes},
author = {Rodrigo A. Muniz and Cuauhtémoc Salazar and Kai Wang and S. T. Cundiff and J. E. Sipe},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.06673},
year = {2019}
}