电容耦合双量子点双自旋量子比特间的量子门
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们研究了作用于编码在双量子点中一对电子自旋态的量子比特上的两量子比特受控非门。我们假设电子可以在编码单个量子比特的两个量子点之间隧穿，而属于不同量子比特的量子点之间的隧穿是被禁止的。因此，两个量子比特仅通过电子的直接库仑排斥相互作用。我们发现，纠缠两量子比特门可以通过对量子点的电偏置和/或调节量子比特内量子点之间的隧穿矩阵元来执行。纠缠相互作用可以通过调节偏置，使其通过双量子点的单占据和双占据单重态基态之间的共振来控制。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0610377,
title = {Quantum gates between capacitively coupled double quantum dot two-spin qubits},
author = {Dimitrije Stepanenko and Guido Burkard},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0610377},
year = {2007}
}
备注
12 pages, 7 figures