铜氧化物中对称破缺与相涨落的不同影响
强关联电子
2009-11-10 v1
摘要
采用电子辐照技术在YBCO中未掺杂和最佳掺杂的CuO2平面上可控地引入点缺陷。 这种技术允许我们在缺陷浓度xd广泛范围内进行精确测量Tc和残余电阻率，直至Tc=0。 Tc下降不遵循对称破缺理论预期的变化。 Tc和过渡宽度随xd的演化强调至少在高度损伤 regime中相涨落的重要性。 这些结果为关于铜氧化物相图上缺陷诱导Tc抑制的演化提出了新问题。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0301595,
title = {Quantum critical point in CuGeO3 doped with magnetic impurities},
author = {S. V. Demishev and Y. Inagaki and M. M. Markina and H. Ohta and S. Okubo and Y. Oshima and A. A. Pronin and N. E. Sluchanko and N. A. Samarin and V. V. Glushkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0301595},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 2 figures, to be published in Physica B