基于太赫腾射线光谱法评估Si金属-氧化物-半导体结构平坦带电压
应用物理
2025-05-01 v1
摘要
激光诱导太赫腾(THz)射线光谱(TES)已在金属-氧化物-半导体(MOS)器件中显示出作为一种快速且非接触估计方法的潜力。凭借对界面电场的敏感响应，时域光谱中 THz 辐射峰的�幅包含了关于 MOS 属性的丰富信息，尤其是 flat-band voltage。本文聚焦于 Si MOS 结构 flat-band voltage 的精确定量估计，阐述了通过 THz 辐射模型进行估计的具体过程。
引用
@article{arxiv.2504.21265,
title = {Quantifying Flat-Band Voltage in Si Metal-Oxide-Semiconductor Structures: An Evaluation via Terahertz Emission Spectroscopy (TES)},
author = {Dongxun Yang and Tonouchi Masayoshi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2504.21265},
year = {2025}
}