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具有受挫准一维结构的巡游磁体 ZrFe$_4$Si$_2$ 中假定的量子临界点

强关联电子 2022-11-18 v2 材料科学

摘要

化合物 ZrFe4_4Si2_2 中的 Fe 子晶格具有几何受挫性和准一维特征。因此,我们借助结构、磁学、热力学和电输运探测手段,研究了 ZrFe4_4Si2_2 中的磁行为及其在以 Ge 替代 Si 以及施加静水压下的演化。磁测量表明,ZrFe4_4Si2_2 具有有效磁矩 μeff=2.18 μB\mu_{\rm eff}= 2.18~\mu_{B} 的顺磁 Fe 矩。在低温下,该化合物在 6 K 以下表现出微弱的短程磁有序。我们的研究表明,以 Ge 替代 Si 会增大晶胞体积,并将短程有序稳定为长程自旋密度波型磁有序。另一方面,对 ZrFe4_4(Si0.88_{0.88}Ge0.12_{0.12})2_2 进行的静水压研究(采用电阻测量)表明,随着压力增大,磁有序被连续抑制。因此,我们的化学替代与静水压联合研究提示,在 ZrFe4_4Si2_2 中存在一个由晶格体积控制的量子临界点。

关键词

引用

@article{arxiv.2007.02129,
  title  = {Putative quantum critical point in the itinerant magnet ZrFe$_4$Si$_2$ with a frustrated quasi-one-dimensional structure},
  author = {M. O. Ajeesh and K. Weber and C. Geibel and M. Nicklas},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2007.02129},
  year   = {2022}
}

备注

9 pages, 7 figures, Published version with new title and extended discussion