准脉冲态对欠掺杂氧化铜材料中电荷动力学的影响
强关联电子
2007-05-23 v1 超导电性
摘要
在 t-J 模型框架下，研究了氧化铜材料在欠掺杂 regime 中的电荷动力学。结果表明，平面电荷动力学和 c 轴电荷动力学主要由来自平面涨落的散射所支配，当赫宾准脉冲在低温下开启时，这种散射将被抑制，从而导致平面电阻率在温度上呈现非线性范围，c 轴电阻率则出现类似半导体的截止现象。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0205248,
title = {Pseudogap effects on the charge dynamics in the underdoped copper oxide materials},
author = {Shiping Feng and Feng Yuan},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0205248},
year = {2007}
}
备注
6 pages, PDF file, three figures are included