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由于 $4$He 超流涡旋引起的伪接触角

材料科学 2009-10-31 v1

作者: R. Luusalo , A. Husmann , J. Kopu , P. J. Hakonen

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摘要

我们研究了 $4$ He 超流在抛光 MgF $_2$ 和蒸发 SiO $_{2}$ 基底上的扩散行为。结果显示在蒸发层上接触角强烈变化，范围为 0 - 15 mrad。根据我们的理论计算，这些接触角可由涡旋线的空间分布解释，而这些涡旋线的脱钉速度与液体深度成反比。

关键词

超流氦涡旋接触角 MgF2 基底 SiO2 基底

引用

@article{arxiv.cond-mat/9910379,
  title  = {Pseudo-contact angle due to superfluid vortices in $^{4}$He},
  author = {R. Luusalo and A. Husmann and J. Kopu and P. J. Hakonen},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9910379},
  year   = {2009}
}

备注

10 pages, 4 figures