用于反铁磁自旋电子学的 BaMnO$_\text{3}|$KTaO$_\text{3}$ 异质结中的近邻诱导 Rashba 自旋轨道相互作用
材料科学
2025-08-11 v2 强关联电子
摘要
反铁磁自旋电子学是一项用于超快电子器件的前沿技术，但面临若干挑战，包括缺乏同时具备稳健反铁磁性与足够 Rashba 类相互作用的材料。我们设计了 BaMnOKTaO 异质结，其思路是将 KTaO 部分的强 Rashba 自旋轨道相互作用近邻诱导至已是稳健反铁磁体的 BaMnO 部分。在我们的 DFT 计算中，该异质结显示出费米能级附近的 BaMnO 能带，其每个 Mn 原子具有显著的磁矩和适宜的有序温度。此外，由于靠近 KTaO，异质结中的 BaMnO 能带表现出具有可观 Rashba 系数的线性 Rashba 相互作用。我们的工作通过展示反铁磁自旋电子学中近邻诱导 Rashba 相互作用的路线图，可为未来研究提供启发。
引用
@article{arxiv.2506.01861,
title = {Proximity-induced Rashba spin-orbit interaction in BaMnO$_\text{3}|$KTaO$_\text{3}$ heterostructure for antiferromagnetic spintronics},
author = {Vivek Kumar and Nirmal Ganguli},
journal= {arXiv preprint arXiv:2506.01861},
year = {2025}
}