用于分析ZrSiS电子能带结构的单散射体投影准粒子干涉
材料科学
2020-07-08 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
电子态的准粒子干涉(QPI)已广泛应用于扫描隧道显微镜(STM)中以分析材料的电子能带结构。单缺陷诱导的QPI揭示了单个原子缺陷与电子态之间依赖于缺陷的相互作用,值得特别关注。由于单缺陷诱导QPI信号微弱,在标准二维QPI测量中信噪比(SNR)相对较低。本文我们引入一种投影准粒子干涉(PQPI)方法,该方法沿以指定缺陷为中心的高对称方向进行一维测量。我们将PQPI方法应用于拓扑节点线半金属ZrSiS。我们聚焦于两类散射表面与体电子能带的特殊原子缺陷。借助PQPI增强的SNR,沿高对称方向的能量色散被清晰分辨。我们讨论了体带与非对称操作对称性强制选择定则下依赖于缺陷的散射。此外,观测到表面浮带的能量移动并分辨出一支新的能量色散(q6)。该PQPI方法可应用于其他复杂材料以在未来探索依赖于缺陷的相互作用。
引用
@article{arxiv.1907.11596,
title = {Projective Quasiparticle Interference of a Single Scatterer to Analyze the Electronic Band Structure of ZrSiS},
author = {Wenhao Zhang and Kunliang Bu and Fangzhou Ai and Zongxiu Wu and Ying Fei and Yuan Zheng and Jianhua Du and Minghu Fang and Yi Yin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.11596},
year = {2020}
}
备注
21 pages, 5 figures, supplementary 3 pages, 2 figures