半导体中电子的Zitterbewegung及其效应

E. Hodby; S. T. Thompson; C. A. Regal; M. Greiner; A. C. Wilson; D. S. Jin; E. A. Cornell; C. E. Wieman

doi:10.1103/PhysRevLett.94.120402

半导体中电子的Zitterbewegung及其效应

统计力学 2009-11-10 v2

作者: E. Hodby , S. T. Thompson , C. A. Regal , M. Greiner , A. C. Wilson , D. S. Jin , E. A. Cornell , C. E. Wieman

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摘要

利用狭缝半导体能带结构与真空中相对论电子Dirac方程之间的类比，演示了半导体电子经历Zitterbewegung（颤动运动）。其频率为 $\omega_Z \approx {\cal E}_g/\hbar$ ，其�幅为 $\lambda_Z$ ，其中 $\lambda_Z = \hbar/m^*_0 u$ 对应于真空中的Compton波长（ ${\cal E}_g$ 为能隙， $m^*_0$ 为有效质量， $u \approx 1.3\times10^8$ cm/sec）。一旦电子以两种分量自旋形式描述特定能带，便不存在Zitterbewegung，但电子应被视为大小为 $\lambda_Z$ 的扩展实体。指出了上述预测的可能后果。

关键词

Zitterbewegung 半导体 Dirac方程有效质量能带结构

引用

@article{arxiv.cond-mat/0411487,
  title  = {Production Efficiency of Ultracold Feshbach Molecules in Bosonic and Fermionic Systems},
  author = {E. Hodby and S. T. Thompson and C. A. Regal and M. Greiner and A. C. Wilson and D. S. Jin and E. A. Cornell and C. E. Wieman},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0411487},
  year   = {2009}
}

备注

5 pages, 3 figures

半导体中电子的Zitterbewegung及其效应

摘要

关键词

引用

备注

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