通过CLFV夸克耦合探测标量介子

我们研究了带电轻子味违反(CLFV)深层级散射，聚焦于通过标量介子 $\phi$ 诱导的夸克子耦合。具体地，我们考察了由有效算子 $\phi\, G_{\mu \nu}^a G_a^{\mu \nu}$ 引发的散射过程 $\ell_i g \to \ell_j g$，并展示了如何探测CLFV介子 $\phi$ 的质量及其与夸克的相互作用。我们考虑了两种基准情形：(i) 类h情形，即介子与夸克的耦合按其质量比例；(ii)仅耦合b型夸克情形。我们进一步表明，通过分析微分散射截面随动量传递的依赖性，可以区分这些情形。此外，我们指出，微分散射截面的峰位置对介子质量及其与夸克的耦合强度具有显著灵敏度。