探测深度单子制中的胶葡糖饱和效应：超越导数功率的研究

专属单子制中探测胶葡糖饱和效应是一项金标准研究通道。本文建立了系统性框架以处理小-x下超越导数功率修正项，包括饱和 regime，并获得了 $\gamma^{*} \rightarrow M (\rho, \phi, \omega)$ 作用因子，其中入射光子与出射单子均可携带任意极化状态。这一工作尤为重要，因为现代实验装置的饱和尺度虽已进入扰动 regime，但仍不足以阻止较高阶效应产生显著影响。