利用电偶极矩与对撞机探测暗 sector CP 破坏

我们研究了暗 sector CP 破坏的实验约束，该 CP 破坏通过希格斯门户耦合 $H^{\dagger} H Z^{\prime}_{\mu\nu} \widetilde Z^{\prime \mu\nu}$ 进入可见 sector，其中 $Z^{\prime}$ 来自一个新的 U(1) 规范对称性，假定其耦合于轻子数。我们显式计算了该有效算符对电子电偶极矩（EDM）的主导双圈贡献，并表明当该有效算符在树能级产生时，所得约束与正负电子对撞机上直接 $Z^{\prime}$ 搜寻的约束相当。我们还考察了该有效算符的一个显式紫外完备，其最初被提出以实现电弱重子生成，结果表明来自 $B$ 工厂的对撞机约束已排除 $Z^{\prime}$ 质量低于 10 GeV 时可行的重子生成参数空间，而如果达到预期亮度，未来的正负电子希格斯工厂将排除 $Z^{\prime}$ 质量直至 $e^+e^-$ 质心能量范围内的可行重子生成。对于更高的 $Z^{\prime}$ 质量，全部可行的重子生成参数空间位于当前电子 EDM 上限的六个数量级之内。