具有单态标量门户的电弱相互作用暗物质

我们研究了一个电弱相互作用暗物质（DM）模型，其中 DM 是 SU$(2)_L$ 三重态费米子的中性分量，通过 SM 单态希格斯玻色子与标准模型（SM）希格斯部分耦合。在此设定下，DM 可在可重整化能级与单态希格斯玻色子具有 CP 破坏耦合。只要存在非零的希格斯门户耦合（单态-双重态希格斯玻色子混合），我们就能通过电子的电偶极矩探测 DM 的 CP 破坏。假设量级为 $\mathcal{O}(1)$ 的 CP 破坏相角，我们研究了电子 EDM 与类单态希格斯玻色子质量和耦合之间的关系。发现对于中等大小的希格斯门户耦合，由于起作用的抵消机制，当前实验 EDM 界限无法排除广阔的参数空间。我们还研究了该模型中 DM 的自旋无关截面。发现尽管类似的抵消机制可能削弱领头阶修正（正如普通希格斯门户 DM 场景中常发生的那样），残余的高阶效应在抵消区域留下了 $\mathcal{O}(10^{-47})~{\rm cm}^2$ 的修正。结果表明，通过结合未来所有电子 EDM、DM 直接探测和希格斯物理的实验，我们的基准场景将被充分检验。