纳米尺度下 $d$ 轨道电子集体振荡的探测
材料科学
2018-03-14 v1 应用物理
摘要
在此我们证明，高能电子可用于在纳米长度尺度上探索 、 和 轨道电子的集体振荡。使用外延 AlGaN/AlN 量子阱作为测试系统，我们观察到随着 Ga 含量的增加，损耗谱中出现了额外特征。将观测光谱与从头算理论进行比较，揭示了这些光谱特征的起源归因于 Ga 贡献的 3 电子。我们发现，由于 电子的极化率不同，这些模式在能量上不同于 AlGaN 中的价电子等离激元。最后，我们研究了观测到的等离激元模式对 Ga 含量的依赖性，从而深入理解了等离激元与电子-空穴激发的耦合。
引用
@article{arxiv.1708.03817,
title = {Probing collective oscillation of $d$-orbital electrons at the nanoscale},
author = {Rohan Dhall and Derek Vigil-Fowler and J. Houston Dycus and Ronny Kirste and Seiji Mita and Zlatko Sitar and Ramon Collazo and James M. LeBeau},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.03817},
year = {2018}
}