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压力诱导的BaVS$_3$中单态绝缘体相的抑制:红外光学研究

强关联电子 2014-01-15 v2

摘要

在环境压力和高达p=26p=26 kbar的静水压力下,在20300020-3000 cm1^{-1}的频率范围内研究了BaVS3_3中的金属-绝缘体(MI)转变。由光学反射率确定的电荷能隙增强,Δch(p)/kBTMI(p)12\Delta_{ch}(p)/k_BT_{MI}(p)\sim 12。该比率与压力无关,表明转变的特性沿pTp-T相边界不变。在临界压力pcr20p_{cr}\sim20 kbar以上,在整个温度范围内都记录到金属光谱,这与相图的形状一致。我们的结果排除了在任何压力下在TMIT_{MI}以上打开赝能隙的可能性。在TMIT_{MI}以下,观察到电荷能隙异常强烈的温度依赖性,导致Δch(T)\Delta_{ch}(T)强烈偏离结构有序参数的平均场类变化。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0311335,
  title  = {Pressure induced suppression of the singlet insulator phase in BaVS$_3$: infrared optical study},
  author = {I. Kézsmárki and G. Mihály and R. Gaál and N. Barišić and H. Berger and L. Forró and C. C. Homes and L. Mihály},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0311335},
  year   = {2014}
}

备注

5 pages, 3 figures. to be published