CeRhSi$_{3}$ 单晶中的压力诱导超导性——高压研究
超导电性
2020-12-30 v1
摘要
非中心对称 CeRhSi 和 CeIrSi 化合物中的压力诱导超导性自 15 年前发现以来引起了科学界的显著关注。迄今为止，所有报道的实验结果均采用混合圆柱活塞压力腔获得，其最大可达压力为 3 GPa。本研究利用 Bridgman 对顶砧压力腔和通过 Sn-真熔剂法合成的 CeRhSi 单晶，聚焦于更高、迄今未报道压力下的超导态。超导临界温度从 1.1 GPa 下的 0.4 K 初始升高至 2.4 GPa 下的 1.1 K，随后在压力升至 3.0 GPa 以上时超导态逐渐受到抑制，形成典型的圆顶状。压力诱导超导性预计在 4.5 至 5.0 GPa 的压力区间被完全抑制。恒磁场与高压下的电阻温度依赖，以及磁电阻测量，揭示出大的临界场，在 0.6 K 和 2.4 GPa 下超过 19 T，并在远离超导圆顶时急剧减小。先前报道的 和 相图由我们的高压数据补全，并在已有结果的框架下进行讨论。
引用
@article{arxiv.2007.15315,
title = {Pressure induced superconductivity in a CeRhSi$_{3}$ single crystal -- the high pressure study},
author = {Daniel Staško and Jaroslav Valenta and Marie Kratochvílová and Jiří Prchal and Petr Proschek and Milan Klicpera},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.15315},
year = {2020}
}
备注
16 pages, 5 figures