压力增强的超导性及其与被抑制的电阻谷的相关性：(La,Pr)3Ni2O7 薄膜研究
超导电性
2026-04-01 v1
摘要
(La,Pr)3Ni2O7 薄膜在常压下实现 Tc 超过 40 K 的超导相，为仅能在常压条件下进行的实验提供了可行平台，也为旨在理解薄膜系统与压缩 bulk 系统在超导性行为上commonality 与 peculiarity 而进行的理论研究提供了平台——包括氧空位和应变的影响。因此，关键在于确定 Tc 是否可以进一步提升，并揭示控制 Tc 值的基本物理机制。本文报告了对 (La,Pr)3Ni2O7 薄膜受hydrostatic pressure 作用的超导性研究。我们发现，外部压力普遍增强薄膜样品的 Tc，无论其初始 Tc 值如何。2.0 GPa 下 Tc onset 达到 68.5 K，较 0.3 GPa 下的 62 K 有显著提升。此外，我们观察到，未实现零电阻的样品在超导转变上方出现电阻谷，而实现零电阻的样品则不显示此类谷。施加压力可抑制这些谷，使系统趋向零电阻。基于我们的结果，我们认为此特征与氧空位相关，且电阻谷的深度可作为空位浓度的指示器。氧空位处可局部化这些可移动电子，这可能导致 Tc 的增加。
引用
@article{arxiv.2603.29531,
title = {Pressure-enhanced superconductivity and its correlation with suppressed resistance dip in (La,Pr)3Ni2O7 films},
author = {Jinyu Zhao and Guangdi Zhou and Shu Cai and Shuaihang Sun and Yaqi Chen and Jing Guo and Yazhou Zhou and Haoliang Huang and Jin-Feng Jia and Yang Ding and Qi Wu and Zhuoyu Chen and Qi-Kun Xue and Liling Sun},
journal= {arXiv preprint arXiv:2603.29531},
year = {2026}
}
备注
14 pages and 4 figures