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压力对高-$T_{c}$超导体的影响及纳米尺度的 Casimir 效应

超导电性 2008-07-08 v1 介观与纳米尺度物理

摘要

考虑到高 TcT_c 超导体中存在的 CuO2CuO_{2} 导电层作为等离子体片,我们提出了一种考虑 Casimir 效应的 TcT_{c} 压力行为方案。当这些平行的等离子体片(Cu-O 面)处于纳米尺度(小距离 \textit{d})区域时,会产生 Casimir 能量。电荷库层向导电的 nCuO2nCuO_{2} 层提供载流子,后者是超导性的来源。压力诱导电荷转移模型(PICTM)使用了一个内禀项,其描述尚不清楚。考虑到用 Casimir 能量描述高-TcT_{c}超导体的 TcT_{c},我们为该内禀项提出了一个显式表达式。在所提表达式中使用的现实参数表明,其与在一些高-TcT_{c}化合物中观测到的实验内禀项数据相符。

关键词

引用

@article{arxiv.0807.0865,
  title  = {Pressure effect on high-$T_{c}$ superconductors and Casimir Effect in nanometer scale},
  author = {H. Belich and M. T. D. Orlando and T. Costa-Soares and E. M. Santos and L. J. Alves and J. M. Pires},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0807.0865},
  year   = {2008}
}

备注

8 pages, Revtex