SiC中玻恩有效电荷、介电常数及晶格动力学的压力依赖性

基于局域密度近似下的线性化增广平面波计算，采用线性响应方法确定了$3C$-SiC的玻恩有效电荷、介电常数以及区中心LO和TO声子的压力依赖性。发现玻恩有效电荷随体积减小至所研究的最小体积$V/V_0=0.78$（对应约0.8 Mbar压力）近乎线性增加。这似乎与Liu和Vohra最近报道的$6H$-SiC中转折行为的结论相矛盾[Phys. Rev. Lett. {\bf 72}, 4105 (1994)]。重新分析他们提取玻恩有效电荷压力依赖性的过程，我们认为其得到的转折行为源于对介电常数$\varepsilon_\infty$压力依赖性的近似假设、对状态方程所用奇异实验数据集的使用，以及声子频率测量中的不确定性，尤其在高压下。