基于密度泛函理论对 TlCrS2 和 TlCrSe2 半金属性质的预测
材料科学
2017-04-26 v1
摘要
基于密度泛函理论（DFT），采用第一性原理全电子全势线性缀加平面波加局域轨道（FP-LAPW+lo）方法研究了 TlCrS2、TlCrSe2 及假想的 TlCrSSe 的半金属性质。计算结果表明，TlCrS2 和 TlCrSSe 是自旋向下通道能隙（Eg）约 0.12 ev 的半金属。硫族元素的 p 态与 Cr 的 d 态的强杂化导致成键和反键态，并进而在 TlCrS2 和 TlCrSSe 的自旋向下通道中出现能隙。对于 TlCrSe2，存在部分杂化，p 态在费米能级处的态密度中部分存在，使得该化合物近乎半金属。本计算揭示，对于 TlCrS2 和 TlCrSSe，总磁矩在较宽的体积变化范围（-10% 至 10%）内保持整数值，而 TlCrSe2 的总磁矩随体积增大而减小，趋近于整数值 3{\mu}B。
引用
@article{arxiv.1702.03979,
title = {Prediction of half-metallic properties in TlCrS2 and TlCrSe2 based on density functional theory},
author = {F. M. Hashimzade and D. A. Huseinova and Z. A. Jahangirli and B. H. Mehdiyev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.03979},
year = {2017}
}
备注
13 pages, 10 figures