预测二维SiTe$_2$的一种新相
材料科学
2020-04-27 v1
摘要
层状IV-VI化合物常以CdI结构存在。利用进化算法与第一性原理计算，我们预测了二碲化硅（SiTe）的一种新层状结构，其比CdI相更稳定。该结构在块体形式下具有三斜晶胞，并表现出硅原子形成四面体键的倾向与碲原子形成六方密堆积的倾向之间的竞争。我们研究了所预测相的电子与振动性质。其电子有效质量在二维半导体中较小，有利于场效应晶体管等应用。我们计算了振动拉曼与红外光谱，以促进未来的实验研究。
引用
@article{arxiv.2004.11481,
title = {Predicting A Novel Phase of 2D SiTe$_2$},
author = {Romakanta Bhattarai and Xiao Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.11481},
year = {2020}
}