在直流加热 Si(111) 表面上发现的阶流聚束的预言普适类

针对由部分带电吸附原子阶下降电迁移引起的邻晶晶面阶流聚束的协同实验与数值研究，证实了最小聚束距离 l_min 对聚束尺寸 N 的标度依赖性的理论预言：l_min ∼ N^{-γ}，其中 γ = 2/3。该所谓的尺寸标度指数 γ 的值在半导体、金属与介电材料的邻晶表面实验中均被观测到。细致的理论研究与数值计算预言了 γ 的第二个值 γ = 1/2。然而，该值尚未见实验报道。我们在此报告相对于 γ = 1/2 的普适类中的阶流聚束的实验观测。这是通过在约 1200°C 下由阶下降直流加热的 Si(111) 邻晶表面升华过程中监测阶流实现的。实验中我们还测量了聚束的其他特征量，如聚束中阶的平均总数 N 与平均聚束宽度 W。随后我们将发现与已发表的实验和数值数据比较，从而得到一个在普适类方面理论一致的框架。我们研究的最终益处不仅在于推进基础知识，也在于为邻晶纳米模板的自下而上合成提供进一步指导。