使用 SiO_2 粉末精确测量正电子素衰变率

使用直接 $2\gamma$ 校正方法测量了在 ${\rm SiO_2}$ 粉末中形成的正电子素的固有衰变率，从而利用高能量分辨率锗探测器精确确定了拾取湮没率的时间依赖性。作为系统性检验，使用了两种不同类型的 ${\rm SiO_2}$ 粉末，得到了一致的结果。测得正电子素的固有衰变率为 $7.0396\pm0.0012 (stat.)\pm0.0011 (sys.)\mu s^{-1}$，与先前使用 ${\rm SiO_2}$ 粉末的测量结果一致，且精度提高了约一倍。结果与近期的 $O(\alpha^2)$ QED 预测符合良好，与其他测量结果存在 $3.8-5.6$ 个实验标准偏差的差异。