电流击穿下强各向异性 Bi(2)Sr(2)CaCu(2)O(8) 单晶中的电势与电流分布
超导电性
2009-11-07 v4
摘要
对超导 Bi(2)Sr(2)CaCu(2)O(8) (BSCCO) 单晶薄片在低温涡旋固态相中的电势差实验显示，当施加穿过“ab”表面或从一个此类表面流向另一表面的电流时，随着电流增加，一个电阻/非电阻前沿从电流接触处逐渐向外移动。通过一种新颖的深度电压探针接触测量了电阻区域的深度。与注入点相关联的前沿位置似乎仅取决于电流大小，而与其引出点无关。本文论证了增强的非电阻超导各向异性将电流穿透限制在 London 长度以内，并导致形成一个平坦的矩形电阻区域，伴随着同时发生的“ab”和“c”电流击穿，该区域随着电流增加从注入点逐渐向外移动。在“ab”或“c”构型下的测量给出相同的信息，均涉及 ab 面和 c 轴的导电性质。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0208250,
title = {Potential and current distribution in strongly anisotropic Bi(2)Sr(2) CaCu(2)O(8) single crystals at current breakdown},
author = {I. Pethes and A. Pomar and B. Sas and G. Kriza and K. Vad and A. Pallinger and F. Portier and F. I. B. Williams},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0208250},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 13 figures, typo error corrected, last section was refined