生长后退火对 Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_4$ 中电荷与自旋激发的影响
超导电性
2021-03-03 v1 强关联电子
摘要
我们报道了体材料 NdCeCuO 的 Cu K 边与 L 边共振非弹性 X 射线散射研究，重点关注生长后退火效应。对于母体化合物 NdCuO（），在生长态观察到清晰的电荷转移能隙，而电荷激发谱表明退火态中掺入了电子。这与下述观察一致：退火后的 RECuO（RE = 稀土）薄膜与多晶样品可在无 Ce 掺杂、电子浓度足够高时变为金属性并超导。对于 （已知该 Ce 浓度下氧还原会破坏长程反铁磁序并诱导超导），我们发现非超导生长态与超导退火态晶体的高能自旋激发几乎相同。这一发现与此前中子散射观测到的低能自旋激发显著变化形成鲜明对比。
引用
@article{arxiv.2008.03420,
title = {Post-growth annealing effects on charge and spin excitations in Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_4$},
author = {Kenji Ishii and Shun Asano and Masumi Ashida and Masaki Fujita and Biqiong Yu and Martin Greven and Jun Okamoto and Di-Jing Huang and Jun'ichiro Mizuki},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.03420},
year = {2021}
}
备注
9 pages, 4 figures