正电子产生场景与银心 511-keV 谱线的角分布
高能物理 - 唯象学
2010-07-12 v2 星系天体物理
高能天体物理现象
摘要
观测到的来自银河系银心的 511-keV 光子超额的角分布，可以让我们从各种暗物质分布模型以及各种正电子产生机制（包括暗物质和其他机制）的组合中进行选择。我们发现，在我们调查的所有暗物质分布中，遗迹衰变场景给出的角分布过于平坦；而暗物质-暗物质碰撞场景，或涉及从局部中心源发射粒子并在一定距离外产生正电子的场景，如果暗物质分布既不太平坦也不太陡峭，则可以匹配观测到的银心角分布。此外，湮灭前的正电子迁移或扩散会加宽角分布，以至于对于大多数暗物质分布而言，平均迁移超过 0.5 千秒差距是不可行的。观测到的角分布也与过去发生的瞬态事件（随后是各向同性正电子扩散）一致。
引用
@article{arxiv.1006.5444,
title = {Positron production scenarios and the angular profile of the galactic center 511-keV line},
author = {Zainul Abidin and Andrei Afanasev and Carl E. Carlson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.5444},
year = {2010}
}
备注
9 pages, 11 figures, added references