半导体中共振态诱导的粒子数反转
材料科学
2009-10-31 v1
摘要
我们提出了在外加电场下半导体中载流子粒子数反转新机制的理论预测。该机制源于共振态的相干俘获-发射型非弹性散射。我们通过应变p-Ge中浅受主共振态的具体计算来支持我们的理论，其中最近观测到了太赫兹频率区域的激光。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9811358,
title = {Population Inversion Induced by Resonant States in Semiconductors},
author = {M. A. Odnoblyudov and I. N. Yassievich and M. S. Kagan and Yu. M. Galperin and X. H. Wang and K. A. Chao},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9811358},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures submitted to Phys.Rev.Letters