与电极强耦合的极化子忆阻器
介观与纳米尺度物理
2015-05-13 v1
摘要
由于电子-振动子相互作用(EVI)产生的吸引性电子关联可以克服强可变形分子量子点(MQD)中极化子的直接库仑排斥。如果实现，在弱耦合到电极的简并非绝热分子桥的I-V特性中会出现开关行为，为未来振荡器、放大器和其他重要电路元件提供超快“忆阻器”(记忆电阻器)的基础。在此，我们将极化子忆阻器理论扩展到与引线强耦合的绝热MQD，并表明MQD的简并性(或其他多能级能量结构)以及极化子-极化子吸引是其强耦合区域开关行为的必要成分。
引用
@article{arxiv.0905.3230,
title = {Polaronic memristor strongly coupled to electrodes},
author = {A. S. Alexandrov and A. M. Bratkovsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:0905.3230},
year = {2015}
}
备注
6 figures, 3 figures