缺氧与锂掺杂三氧化钨中的极化子迁移率

我们研究了缺氧以及锂掺杂单斜三氧化钨中的电子局域化与极化子迁移率。我们发现，在氧空位存在下形成的小极化子倾向于双极化子 $W^{5+}- W^{5+}$ 构型，而 $W^{6+}- W^{4+}$ 构型是亚稳态的。我们的计算表明双极化子被空位紧密束缚，因此基本不迁移。相反，由锂插层形成的极化子可以迁移，此种情况下极化子跳跃的激活能根据晶向不同在98至124 meV之间变化。在 $Li-WO_{3}$ 中形成 $W^{5+}- W^{5+}$ 双极化子是可能的。当沿 $[001]$ 方向时，双极化子构型比两个分离的 $W^{5+}$ 极化子能量低8 meV。