多层 Ge-Sb-Te 相变材料中原子排列的偏振依赖光学控制
材料科学
2012-12-06 v1
摘要
我们报道了层状 GeTe/Sb_{2}Te_{3} 相变存储材料中原子排列的光学扰动。为了观察结构变化，我们在飞秒泵浦脉冲的各种偏振角下（通量 < 78 \mu J/cm^{2}）研究了 GeTe_{4} 局部结构的相干 A_{1} 模式。研究发现，p 偏振在诱导 A_{1} 频率偏移方面更为有效，该偏移根据泵浦通量的不同可以是可逆的或不可逆的。这种偏移的主要起源归因于 p 偏振脉冲照射后，沿 [111] 轴的 Ge-Te 键各向异性解离所驱动的 Ge 原子重排。
引用
@article{arxiv.1211.5192,
title = {Polarization Dependent Optical Control of Atomic Arrangement in Multilayer Ge-Sb-Te Phase Change Materials},
author = {Kotaro Makino and Junji Tominaga and Alexander V. Kolobov and Paul Fons and Muneaki Hase},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.5192},
year = {2012}
}
备注
4 pages, 4 figures, to be published in Appl. Phys. Lett