微加工浮栅高电子迁移率晶体管中的等离子体效应
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v2
摘要
我们利用所开发的模型，研究了以微悬臂梁作为栅极的微加工高电子迁移率晶体管 (HEMT) 中的等离子体效应。该模型考虑了微悬臂梁的机械运动以及晶体管沟道中二维电子气 (2DEG) 系统的时空变化（等离子体效应）。微悬臂梁的机械运动采用质点近似进行描述。流体动力学电子输运模型用于描述 2DEG 系统中的分布电子等离子体现象。利用该模型，我们计算了表征不同参数器件的微悬臂梁振荡振幅和输出电信号的响应函数，这些函数是信号频率和偏置电压的函数。我们发现了机械共振频率及其阻尼随电压的变化关系。特别是，结果表明，机械振荡振幅和输出电信号在接近 2DEG 沟道耗尽电压的偏置电压下表现出显著的极大值，随后随着偏置电压的进一步增加而急剧下降。
引用
@article{arxiv.0705.2082,
title = {Plasma effects in a micromachined floating-gate high-electron-mobility transistor},
author = {Y. Hu and I. Hagiwara and I. Khmyrova and M. Ryzhii and V. Ryzhii and M. S. Shur},
journal= {arXiv preprint arXiv:0705.2082},
year = {2007}
}
备注
10 pages, 5 figures