平面原子阱和磁共振‘透镜’设计

我们提出了各种平面磁性设计，这些设计在平面上方创建静磁场幅度为局部最小值的点。具有这些特性的结构在中性原子约束、磁悬浮和磁共振成像等领域中备受关注。每个平面永磁体设计都伴随着等效的平面单非交叉导体设计。所提出的设计分为三类，产生：a) 零值磁场幅度点最小值，b) 需要外部偏置磁场的非零磁场幅度点最小值，以及c) 自偏置的非零磁场幅度点最小值。我们还介绍了平面垂直磁化薄膜中的安培电流倍增原理，该原理可用于提高我们提出的每个永磁体设计的性能。单导体载流设计适用于单层光刻制造，我们已通过实验证明。最后，我们提出，使用现有数据存储技术对垂直各向异性磁性薄膜进行纳米级记录可以为所提出的设计提供最终的微型化。