传感器像素面积变化：预测平场响应中像素保真度和畸变的新框架

我们将厚耗尽型硅传感器中的漂移场描述为一维背景场与各种具有物理动机的三维微扰贡献的叠加。我们计算了沿场线向沟道以及进入由微扰场限制转换的体积的转换轨迹。通过将预测与五种固定图案畸变特征中看到的测量响应分布进行比较，我们验证了这种方法。我们推导了“树环”平场畸变与天体测量和形状传递误差之间的定量联系，并关联到可测量的波长依赖性——作为可在管道分析中用于星表编制的辅助像素数据。此类修正可在DECam数据上进行测试，其中树环平场畸变与天体测量误差之间的相关性及其波段依赖性已在研究中。动态效应，包括点源的亮胖现象和平场固定图案特征的流量依赖性，使用与产生固定图案特征形式相似的微扰来处理。这些反过来提供了可以以直接方式验证的漂移系数预测。一旦使用可用数据约束了模型的三个参数，该模型就可以轻松用于为任意光分布提供预测，并免费提供内部一致的波长依赖性。