(Bi$_{1-x}$Sb$_{x}$)$_{2}$Te$_{3}$三维拓扑绝缘体中的光子拖曳效应

我们报道了在外延生长的$n$型和$p$型(Bi$_{1-x}$Sb$_{x}$)$_{2}$Te$_{3}$三维拓扑绝缘体中观测到太赫兹辐射诱导的光子拖曳效应，其中锑浓度$x$在0到1之间变化。我们证明，偏振太赫兹辐射的激发会产生$dc$光电流。在正入射时，电流由表面态中的光生伏打效应引起，而在斜入射时，它被三角光子拖曳效应所超过。所建立的微观模型和理论表明，光子拖曳光电流是由于时变和空变辐射电场导致的动力学动量对齐，并意味着辐射诱导的电子动量空间中的非对称散射。