氧化亚铜中 1s 正激子的光电离截面
材料科学
2015-08-11 v1 原子物理
光学
摘要
我们报告了通过光电离光学探针测量正激子 - 极化激元束衰减的结果。激子是在 1.4 K 温度下的氧化亚铜 (Cu2O) 中，通过 1.016 eV、54 ps 脉冲光源的双光子吸收制备于窄共振态。使用共线的 1.165 eV、54 ps 探针（延迟 119 ps）来测量激子的光电离截面。双光子吸收相对于泵浦强度呈二次方关系并导致极化激元形成。电离相对于探针强度呈线性关系。随后的载流子复合相对于探针强度呈二次方关系，其区别在于它将激子动量移离极化激元反交叉；光电离探针除了导致极化激元衰减外，还引起与声子相关的发光增强。通过可变地延迟探针脉冲确定了激子密度的演化。利用探针辐照度和透射极化激元光的减少量，推导出探针频率下的截面为 3.9*10^(-22) m^2。
引用
@article{arxiv.1406.4911,
title = {Photoionization cross section of 1s orthoexcitons in cuprous oxide},
author = {Laszlo Frazer and Kelvin B. Chang and Kenneth R. Poeppelmeier and John B. Ketterson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.4911},
year = {2015}
}