涨落伊辛超导体中的光致伏打输运
超导电性
2022-10-19 v1 介观与纳米尺度物理
光学
摘要
在均匀外电磁场作用下，处于涨落区的二维非中心对称伊辛超导体中，由于能谷的三重扭曲，光致伏打效应出现两种贡献。第一种贡献源于正常态电子气的电流，而第二种贡献具有 Aslamazov-Larkin 性质：它起源于当环境温度从上方接近样品超导转变温度时涨落库珀对的存在。解除能谷简并的方法是施加弱的面外磁场以产生塞曼效应。正常态电子气的玻尔兹曼方程方法和涨落库珀对的时间依赖金兹堡-朗道方程，可用于研究二维过渡金属硫族化物伊辛超导体中的光致伏打电流。
引用
@article{arxiv.2206.04322,
title = {Photogalvanic transport in fluctuating Ising superconductors},
author = {A. V. Parafilo and M. V. Boev and V. M. Kovalev and I. G. Savenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.04322},
year = {2022}
}