石墨炔中具受保护角模的声子实陈绝缘体

高阶拓扑绝缘体近来引起了极大的研究兴趣。与传统的拓扑绝缘体不同，高阶拓扑绝缘体不一定需要自旋轨道耦合，这使得在自旋less系统中实现它们成为可能。在此，我们研究二维石墨炔族材料中的声子。通过使用第一性原理计算和拓扑/对称性分析，我们发现石墨二炔和$\gamma$-石墨炔中的声子均表现出二阶拓扑，属于被称为实陈绝缘体的特定情形。我们确定了非平庸的声子带隙，其由时空反演对称性所赋能的非平庸实陈数表征。在有限尺寸纳米盘上的计算验证了受保护的声子角模。我们的研究将高阶拓扑的范围扩展到真实材料中的声子。空间局域化的声子模式可能有助于新型声子应用。