声子跨 Si-Ge 界面输运：非弹性体散射的作用
介观与纳米尺度物理
2018-12-18 v2
摘要
理解声子跨异质结的输运对于实现广泛的热输运特性十分重要。使用 McKelvey-Shockley 通量法结合第一性原理建模，我们从理论上研究 Si-Ge 界面的声子输运性质，重点关注非弹性体声子过程的作用。我们观察到界面附近显著的非弹性散射，由结驱动的非平衡效应将热在声子间重新分配。当结长度与平均声子平均自由程相当时，这些效应最为明显。阐明了控制这些非弹性过程的因素。
引用
@article{arxiv.1808.10713,
title = {Phonon transport across a Si-Ge interface: the role of inelastic bulk scattering},
author = {Jesse Maassen and Vahid Askarpour},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.10713},
year = {2018}
}
备注
12 pages, 7 figures