准一维M2Mo6Se6中的声子模谱学、电子-声子耦合与金属-绝缘体转变
强关联电子
2013-03-06 v1 超导电性
摘要
我们给出了准一维M2Mo6Se6（M = Tl, In, Rb）的电子结构计算、电阻率数据以及首次在正常态和超导态的比热测量结果。Rb2Mo6Se6在~170K处经历金属-绝缘体转变：电子结构计算表明这很可能是由动态电荷密度波的形成驱动的。然而，Tl2Mo6Se6和In2Mo6Se6在低温下保持金属性，超导转变温度分别为Tc = 4.2K和2.85K。这些材料中不存在金属-绝缘体转变是由于更大的面内带宽，导致链间跳跃增加，从而抑制了密度波不稳定性。超导化合物的电子比热数据显示出极低的态密度DEF = 0.055 states eV^-1 atom^-1，BCS拟合显示Tl2Mo6Se6的2Delta/kBTc >= 5，In2Mo6Se6的为3.5。通过用一组爱因斯坦模对晶格比热进行建模，我们得到了近似的声子态密度F(w)。然后对两种超导体的电阻率进行反卷积，得到它们的电子-声子输运耦合函数a^2F(w)。在Tl2Mo6Se6和In2Mo6Se6中，F(w)由~5meV处的光学“客离子”模和~10-30meV的一组声学模主导。Rb2Mo6Se6表现出类似的光谱；然而，光学声子强度较低且移至~8meV。Tl2Mo6Se6中的电子与两组模都强耦合，而In2Mo6Se6仅在10-18meV范围内表现出显著耦合。尽管配对显然不是由客离子声子介导的，但鉴于其异常大的耦合强度和比In2Mo6Se6更高的Tc，我们认为它对Tl2Mo6Se6的超导电性有有益影响。
引用
@article{arxiv.1007.5365,
title = {Phonon Mode Spectroscopy, Electron-Phonon Coupling and the Metal-Insulator Transition in Quasi-One-Dimensional M2Mo6Se6},
author = {A. P. Petrović and R. Lortz and G. Santi and M. Decroux and H. Monnard and L. Boeri and O. K. Andersen and J. Kortus and D. Salloum and P. Gougeon and M. Potel and Ø. Fischer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.5365},
year = {2013}
}
备注
16 pages, 13 figures